3D Device Simulator
Victory Device는 반도체 소자의 전기 특성, 광학 특성, 온도 특성을 시뮬레이션하는 소자 엔지니어를 위한 프레임 워크입니다. Victory Device는 실리콘 및 2족, 3족, 4족 물질-기반 소자에 대한 DC 분석, AC 분석 및 변이 분석을 2D/3D로 실행할 수 있습니다. Victory Device는 고급 사면체 메쉬 엔진을 사용하여 복잡한 3D 형상을 빠르고 정밀하게 시뮬레이션하는 차세대 2D / 3D 소자 시뮬레이터입니다. Victory Device의 폭넓은 기술을 대상으로 반도체 디바이스를 특성화 및 최적화할 수 있습니다.
소개
나노 스케일의 소자 형상 및 미래의 기술 노드에 대응하기 위해서는 다양한 방법의 통합, 이종 반도체 물질의 처리, 전기 특성 / 열 수송 특성 / 광학 특성의 계산을 가능하게 하는 차세대 소자 시뮬레이션 툴이 요구됩니다. 소자 시뮬레이션은 소자 내부의 물리적 프로세스를 이해하고 묘사하는데 도움이 될뿐만 아니라 차세대 소자의 동작에 대해 신뢰할 수 있는 예측이 가능합니다. 소자 시뮬레이션은 새로운 소자 구조를 파라미터 분석을 통해 예측하는데 매우 유용합니다. 2D/3D 모델링 및 시뮬레이션 프로세스를 통해 현재 소자와 새로운 소자에 대해서 그 성질과 동작을 보다 정확하게 파악할 수 있습니다. 또한, 안정성과 확장성을 향상시키는 동시에 개발 기간의 단축과 위험과 불확실성의 완화에도 효과를 발휘합니다.
주요 특징
- 범용성을 갖춘 2D/3D 소자 시뮬레이터
- 사면체 메쉬로 3D 형상을 정확하게 표현
- 등각 들로네(Delaunay) 메쉬에 대응하는 보로노이 (Voronoi) 이산화
- 실리콘, 화합물, 유기 물질에 대하여 사용자 설정이 가능한 물질 데이터베이스를 갖춘 고급 물리 모델에 대응
- 응력 의존의 이동도 모델 및 밴드갭 모델에 대응
- C-Interpreter 또는 DLL을 사용하여 사용자 정의가 가능한 실제 모델을 지원
- DC, AC, 과도 해석을 실행
- 드리프트-확산 방정식과 에너지 균형 수송 방정식을 채택
- 열 생성, 열 흐름, 격자열, 열 흡수 및 온도 의존 물질 파라미터 등을 포함한 자기-발열 효과를 일관되게 시뮬레이션
- 분산 컴퓨팅을 지원하는 고급 멀티 스레드 수치 솔버 라이브러리를 채택
- 양자 보정 모델 및 터널링 모델 이용 가능
- 레이 추적법 및 FDTD법을 이용한 광학 시뮬레이션이 가능
- 고급 멀티-스레드 수치해석적 솔버 라이브러리
- 정확도를 64 비트, 80 비트, 128 비트, 160 비트, 256 비트, 320 비트로 지정 가능
- Atlas 소자 시뮬레이터와 호환
- 실바코의 강력한 암호화로 고객과 타사의 소중한 지적 재산권을 보호하기 위해 이용 가능
장점
- 고급 반도체 소자의 전기적 특성, 온도 특성, 광학 특성을 분석하여 소자 성능을 최적화할 수 있습니다.
- 현재 기술의 문제점을 파악하여 제품 개발 기간을 단축할 수 있습니다.
- 새로운 소자 기술을 탐구하고 차세대 소자에 응용할 수 있습니다.
적용
전원 장치
Victory Device는 파워 MOS, LDMOS, SOI, 사이리스터, IGBT 등의 파워 디바이스의 전기적 동작 및 열적 거동을 시뮬레이션할 수 있는 기능을 탑재하고 있습니다. Victory Device에 채택되는 고급 3D Delaunay 메시에 대응하는 이산화법 및 확장된 정밀 수치로 SiC와 GaN 등의 와이드 밴드갭 물질에 대해 높은 안정성과 정확성을 갖춘 시뮬레이션 결과를 얻을 수 있습니다. 또한 전원 소자 회로에 내장된 SPICE 회로 시뮬레이터를 통해 시뮬레이션할 수 있습니다.
고급 CMOS
핫 캐리어, 응력 및 양자 보정, 터널링 모델을 이용하여 FinFET와 FDSOI 등의 고급 CMOS를 시뮬레이션할 수 있습니다.
이 3D FinFET 시뮬레이션에서는 완전한 비구조 격자형의 3D 사면체 메쉬를 사용합니다. 메쉬는 도핑 및 계면에서의 세분화를 포함하여 모두 자동화되어 있습니다.
화합물 반도체
SiGe, GaAs, AlGaAs, InP, SiC, GaN, AlGaN, InGaN 등의 다양한 화합물 물질에 대응하고 있으며, 화합물 반도체를 사용한 복잡한 소자를 분석할 수 있습니다.
디스플레이
Victory Device는 고급 결함 모델에 대응하고 있으며, 박막 소자를 분석할 수 있습니다.
광전자
Victory Device는 태양 전지, CMOS 이미지 센서 등의 소자에 대해 광전 변환 특성을 시뮬레이션할 수 있습니다. 광학 시뮬레이션은 레이 추적법과 FDTD법을 모두 사용할 수 있습니다.
명암 조건의 CMOS 이미지 센서의 과도 응답을 분석한 3D 프로세스 및 디바이스 시뮬레이션은 다음과 같습니다.
방사선
Victory Device는 고급 방사선 시뮬레이션 모델을 제공합니다. 단일 이벤트 업세트(SEU)와 싱글 이벤트 번 아웃(SEB) 총 도즈량, 선량률 등의 영향에 대해 정상 상태 분석, AC 분석, 과도 해석을 할 수 있습니다.