제품 개요

실바코는 TCAD부터 Signoff 툴까지 다양한 용도를 위한 포괄적인 제품군을 제공하고 있습니다:

  • 디스플레이: TFT, LCD, OLED
  • 파워 (고전압/고전류): DMOS, IGBT, SiC, GaN, 스위칭 레귤레이션
  • 신뢰성: SEE (Soft-error reliability), 방사선 (총 도스), 에이징 (NBTI, HCI)
  • 광학: CCD, CIS, 레이저
  • 고급 공정 개발: FinFET, FDSOI, 3D NAND 플래쉬
  • 아날로그, 고속 I/O 디자인: PLL, ADC, SERDES
  • 기초 라이브러리, 메모리 설계: 표준 셀, SRAM, DRAM, 플래쉬

실바코의 핵심 제품은 여섯 개의 폭넓은 영역을 포함합니다: 2D/3D TCAD, 3D RC 추출, SPICE 모델 추출, 커스텀 디자인, 특성화, SPICE 시뮬레이션, 변이 해석, 추출된 넷리스트의 분석 및 리덕션, 전원 무결성 사인오프 및 IP. 주요 제품과 기능은 다음과 같습니다::

Product Bridge Custom Design Variation Analysis Power Integrity 3D RCX TCAD AccuCell AccuCore SPICE Simulation Utmost IV Spayn Techmodeler
  • 전원, EM/IR 및 열 분석을 포함하는 블록(아날로그, SRAM, 사용자 정의 디지털)에서 풀 칩 레벨까지 전원 무결성 사인오프
  • 스키매틱 엔트리, 레이아웃, 시뮬레이션 및 검증을 포함한 전체 사용자 정의 디자인 플로우
  • AMS, HV, BCD and CIS 공정에 촛점을 두는 다수의 파운드리를 통한 대규모 PDK 포트폴리오
  • FastSPICE 애플리케이션을 지원하기 위해 확장되는 16nm 및 10nm FinFET ready Parallel SPICE 시뮬레이터
  • 고속 몬테카를로, 로컬 불일치, 통계 모서리, 하이시그마 분석 및 표준 셀 라이브러리의 통계적 검증을 포함하는 변이 해석 설계 도구
  • 자동 SRAM 특성화 환경
  • 상세하고 정확한 FinFET SRAM 추출에 사용되는 3D 기생 RC 추출
  • 전원 소자를 위한 HiSIM_HV와 유기 및 산화물 박막 트랜지스터를 위한 유기박막트랜지스터를(UOTFT)를 포함하는 모델 유형의 대규모 세트에 대한 SPICE 모델링
  • TFT 디스플레이를 위한 픽셀 및 대화형 RC 추출
  • 신속한 FinFET 프로토 타입, 강력한 다중 셀 IGBT를 위한 대규모 구조 병렬 시뮬레이션, 트렌치 파워 MOS 디바이스 및 CMOS 이미지 센서를 위한 안정적인 산화 시뮬레이션, 높은 정밀도 SiC/GaN 시뮬레이션, 3D NAND 플래시와 STT MRAM, SEE 및 총 투여량 신뢰도 시뮬레이션을 위한 고급 에칭을 포함한 대규모 응용 프로그램 공간에 사용되는 3D TCAD 제품

아래의 그림은 실바코 제품을 구현하는 TCAD-to-Signoff의 플로우를 시각화하여 나타낸 것입니다. 이 플로우는 TCAD 공정 시뮬레이션부터 시작합니다 (레이아웃 데이터의 구조 생성도 가능). TCAD 소자 시뮬레이션을 이용하여 소자 특성화 IV/CV 데이터를 생성합니다. 이 데이터는 SPICE 모델 추출 툴의 입력으로 사용하여 크기에 상관없이 확장 가능한 모델을 생성하고, SPICE 회로 시뮬레이터에서 이용할 수 있습니다. 이 플로우의 일부는 공정 개발/통합 측면을 포괄합니다. 설계에 관한 플로우는 넷리스트부터 시작되어 스키매틱/넷리스트를 중점으로 레이아웃을 실행합니다. 레이아웃 추출은 규칙 기반의 기생 RC 추출 툴 외에도, 고정밀도 해석이 가능한 3D RC 추출 툴을 사용할 수 있습니다. 넷리스트가 추출되면, 모델 파일과 함께 회로 시뮬레이션을 실시합니다. 또한 공정 변이의 처리하기 위해 더욱 강력한 설계가 가능합니다. 설계의 마지막 단계로는, DRC/LVS 위반에 대한 레이아웃 설계 검증과 EM/IR/열 분석을 통한 전력 무결성에 대한 설계를 확인하고 사인-오프를 실시합니다. 이 플로우의 모든 단계를 실행함으로써 제조 단계 이전에 시뮬레이션과 분석 툴을 활용한 설계 및 검증을 실시할 수 있습니다. 공정 기술의 개발주기가 진행되는 동안 실측 데이터를 사용할 수 있으며, 이를 통해 시뮬레이션 결과 데이터와 실측 데이터를 결합하여 플로우의 각 단계를 보강할 수 있습니다. 예를 들어, 실측 데이터를 사용하여 TCAD 시뮬레이션의 보정과 SPICE 모델 추출 등을 실시할 수 있습니다. "TCAD-to-Signoff" 통합 플로우에 실바코의 통계 분석 툴과 DOE (실험 계획법) 툴을 통합시켜, 경로 탐색 분석, what-if 시나리오 분석, 최적화에 사용할 수 있습니다.