FLOSFIA사, GaO™ 파워 디바이스 개발에 실바코의 소자 시뮬레이터 채택

FLOSFIA일본, 요코하마 -2018-05-22 – 실바코 재팬(이하 실바코)는 주식 회사는 FLOSFIA (이하 FLOSFIA)가 독자 기술로 생산하는 산화 갈륨(Ga2O3)를 이용한 GaO™파워 디바이스 개발에 실바코의 소자 시뮬레이터를 채택했다고 발표했다.

향후 큰 수요 증가가 예상되는 와이드 밴드갭 반도체, 그 중에서도 SiC, GaN을 상회하는 밴드갭을 갖는 산화 갈륨의 실용화에 대한 기대가 높아지고 있습니다. FLOSFIA는 미스트 드라이법을 자체 방식으로 개선한 MISTEPITAXY 방식을 이용하여 사파이어 기판 상의 알루미나 구조 산화 갈륨(α-Ga2O3) 반도체 층을 형성, 양질의 단결정을 만드는 데 성공했으며 GaO™ 파워 소자의 개발에 이르렀습니다. 새로운 소자의 개발을 효율적으로 추진하기 위해서는 소자 시뮬레이터의 활용은 필수입니다. 실바코의 Atlas/Victory Device에 대표되는 소자 시뮬레이터는 첨단 소자, 화합물 반도체, TFT 등 다양한 애플리케이션을 폭넓게 지원하고 있습니다. 이번 채택은 산화 갈륨을 이용한 파워 디바이스 개발에 실바코의 소자 시뮬레이터의 유효성 확인을 거쳐 이루어졌습니다.

FLOSFIA의 CTO인 Takashi Shinohe는 이야기합니다. “당사는 전혀 새로운 독자적인 제조 방식의 산화 갈륨 소자 개발을 실시하고 있습니다. 이러한 새로운 디바이스의 개발을 효율적으로 추진하기 위해서는 소자 시뮬레이션의 활용이 매우 중요합니다. 실바코의 소자 시뮬레이터를 사용하기로 한 결정적인 요인은 실바코의 와이드 밴드갭 반도체에 대한 광범위한 실적과 파워 디바이스에 대한 풍부한 지식때문이었습니다. 앞으로 실용화를 위한 GaO™ 파워 디바이스의 개발이 보다 발전될 것으로 기대합니다.“

실바코 재팬의 총괄 책임자인 Naoto Kameda는 다음과 같이 이야기합니다. “차량용 애플리케이션을 위한 파워 디바이스를 포함한 다양한 애플리케이션에 사용될 것으로 예상되는 와이드 밴드 갭 반도체의 활용을 통해 보다 작고 효율적인 전력 변환 회로에 대해 매우 높은 기대가 모아지고 있습니다. 업계 안팎에서 높은 평가를 받는 FLOSFIA의 독자적인 기술에 실바코의 소자 시뮬레이터가 사용된다는 소식에 당사의 개발자, 엔지니어들은 크게 고무되어 있습니다.“

“GaO™”, “MISTDRY”, “MISTEPITAXY”는 FLOSFIA Inc.의 등록 상표 또는 상표입니다.

Silvaco, Inc.

Silvaco, Inc.(이하 실바코)는 공정 및 소자 개발 및 아날로그/믹스드 시그널, 파워 IC 및 메모리 설계에 사용되는 소프트웨어 제품을 개발하는 선도적인 EDA 및 IP 공급 업체입니다. 실바코는 디스플레이, 파워 전자, 광학 소자용 시뮬레이션과 방사선의 영향과 소프트 오류에 대한 신뢰성 검증, 첨단 CMOS 공정 및 IP 개발을 위한 시뮬레이션 등을 포한한 완벽한 TCAD-to-sign-off 플로우를 제공합니다. 실바코는 30년 넘게 고객이 합리적인 비용으로 최단 시간에 우수한 제품을 시장에 출시할 수 있도록 지원하고 있습니다. 실바코는 미국 캘리포니아 주 산타클라라에 본사를 두고 있고, 북미, 유럽, 일본을 포함한 아시아 각지에 사업 거점을 두고 있습니다.

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실바코 코리아 krsales@silvaco.com