MC Implant는 포괄적인 이온 주입 시뮬레이터로서, 비정질/결정질 물질에서의 이온 정지(ion stopping), 결함 생성(defect generation), 이온 주입 분포를 모델링합니다. 측정 프로파일과 폭넓게 비교했을 때, MC Implant는 매우 정확하고 예측적임을 나타냅니다. 이온/물질 조합, 임의의 구조, 상이한 기판 방향, 주입량, 에너지 및 각도 등에 다양하게 사용할 수 있습니다.

Rev. 042308_10