배경

CMOS 기술이 90nm 이하로 축소됨에 따라, 정확한 회로 시뮬레이션 SPICE 모델에 대한 수요가 급격히 증가하였습니다. 현재 SPICE 모델인 BSIM3, BSIM4는 이러한 기술로 만들어진 CMOS 회로를 시뮬레이션할 때 부족함을 노출하고 있습니다. 속도와 정확성에서 진일보한 신규 HiSIM 버전 2.4의 발표는 이러한 문제를 마침내 해결하였습니다.

HiSIM SPICE 모델은 일본 히로시마 대학의 미치코 미우라-마사우치 교수의 주도 하에 개발되었습니다. HiSIM 모델은 'Vth-based CMOS Model'로 알려진 기존 접근 방식에서 벗어나 현재 'Surface Potential-Based Model'로 알려진 새로운 방식을 토대로 합니다. 계면 전위에 기초한 모델은 65nm 이하의 CMOS 구조에 대한 물리적인 성질을 정확하게 나타냅니다.

개발 연혁

실바코는 2002년 UTMOST-III에서 HiSIM 버전 1.2에 대한 로컬 최적화 전략을 처음으로 도입하였습니다. 이후, 파라미터 추출 방법론을 완벽하게 검토 및 업데이트하여, 진행중인 HiSIM 모델의 개선과 향상에 포함하였습니다.

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